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拋光液、研磨液
砷化鎵拋光液

名稱:砷化鎵拋光液

詳細(xì)信息

砷化鎵拋光液

一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介

HPHE/GAPS-SH-1834型砷化鎵CMP拋光液是廣東騰駿化工科技有限公司生產(chǎn)的新一代水溶性高純度CMP漿料,具有穩(wěn)定性好、濃度高、拋光速率快等特點(diǎn)。該產(chǎn)品在實(shí)際應(yīng)用中憑借高稀釋比例、低金屬離子污染等卓越的性能得到了客戶的充分肯定,主要用于砷化鎵晶片的拋光工藝中。

二、主要特點(diǎn)

HPHE/GAPS-SH-1834型 CMP漿料采用我公司自主合成生產(chǎn)的高純納米SiO2 單質(zhì)硅作為磨料,具有生產(chǎn)自動(dòng)化高,穩(wěn)定性好,濃度較高,粒徑均一性好,雜質(zhì)沾污少等特點(diǎn)。該產(chǎn)品選用的輔助試劑多為有機(jī)試劑,避免了無(wú)機(jī)物對(duì)設(shè)備的腐蝕以及操作的危險(xiǎn)性。產(chǎn)品無(wú)毒無(wú)味,非常適用于集成電路用砷化鎵晶片的拋光工藝。在拋光中根據(jù)需要可以優(yōu)化不同配比,均能達(dá)到最佳使用效果。與同類產(chǎn)品相比,該產(chǎn)品能夠有效控制晶片表面的各種金屬沾污,主要參數(shù)指標(biāo)均能滿足IC要求。

三、主要用途

HPHE/GAPS-SH-1834型 CMP拋光液主要用于砷化鎵晶片的高質(zhì)量拋光,也可用于鍺片的拋光。

四、基本參數(shù)
pH值 比重 粘度(mPa.s,25℃) 粒徑(nm) SiO2% 外觀
10.0-11.0 1.265-1.300 ≤5 120-140 38-42 乳白
五、使用方法:

根據(jù)工藝將拋光原漿料按一定比例與去離子水混合后使用。

六、注意事項(xiàng)

1、漿料使用過(guò)程中盡量避免直接暴露,防止污染物進(jìn)入漿料中造成劃傷。

2、冬季氣溫較低(<5℃)時(shí),漿料不可放置室外,需存放在恒溫倉(cāng)庫(kù),一旦發(fā)生凝膠將不可使用。

3、漿料使用過(guò)程中需要及時(shí)清洗管路和器具,避免漿料長(zhǎng)期殘留在管路和容器中造成凝膠,引起晶片表面劃傷。

4、漿料循環(huán)使用時(shí),需要在管口添加過(guò)濾裝置,以免發(fā)生凝膠而又反復(fù)應(yīng)用時(shí)造成晶片表面劃傷。

七、運(yùn)輸及保存

1、運(yùn)輸與存放溫度為5-40℃,25℃為最佳存放溫度,存放時(shí)應(yīng)避光,以避免拋光液變質(zhì)。

2、保質(zhì)期一年,建議半年內(nèi)使用。

3、避免金屬、顆粒污染,避免強(qiáng)電解質(zhì)的接觸。

包裝規(guī)格

25kg/桶、250kg/桶、1000kg/桶。

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