鍺材料CMP拋光液是廣東騰駿化工科技有限公司生產(chǎn)的高端產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于大尺寸硅晶片拋光工藝中。該產(chǎn)品在實際應(yīng)用中憑借濃度高、純度高、金屬離子污染低、速率穩(wěn)定性高、一致性好等卓越的性能得到了客戶的充分肯定。該產(chǎn)品投放市場以來受到了多家客戶的好評，目前已在國內(nèi)多家生產(chǎn)線上通過了測試，并獲得很好的應(yīng)用效果，且性能達(dá)到了美、日等進(jìn)口產(chǎn)品水平。

HPHE/SSPS-SH-2034型硅材料CMP漿料采用我司自主合成的SiO2水溶膠作為磨料。該磨料合成過程中采用新的合成工藝和自動化的生產(chǎn)控制，在傳統(tǒng)膠體的基礎(chǔ)上提高了粒徑均勻性和純度，專門應(yīng)用于高端產(chǎn)品。產(chǎn)品配制過程中采用了封閉式自動化的配制合成方式，各種輔助試劑具有嚴(yán)格的檢測標(biāo)準(zhǔn)，并且進(jìn)行現(xiàn)場的配制合成，避免了原料存儲過程中的不穩(wěn)定因素導(dǎo)致產(chǎn)品質(zhì)量問題。在拋光中根據(jù)需要可以優(yōu)化不同配比，均能達(dá)到最佳使用效果。與美國和日本的同類產(chǎn)品相比，該類產(chǎn)品具有濃縮度高、磨料粒徑可控、表面張力小、對有機物、金屬離子及顆粒容易清洗、拋光速率高、高溫不出現(xiàn)非均化蝕坑、拋光一致性好等優(yōu)點。

主要用于多重擴散硅片的高質(zhì)量拋光，也可用于原始鍺、二氧化硅等材料的拋光工藝。

建議HPHE/SSPS-SH-2034型漿料和去離子水的配比為1：15-20，也可根據(jù)實際工藝要求改變配比。

1、漿料使用過程中盡量避免直接暴露，防止污染物進(jìn)入漿料中造成劃傷。

2、冬季氣溫較低（<5℃）時，漿料不可放置室外，需存放在恒溫倉庫，一旦發(fā)生凝膠將不可使用。

3、漿料使用過程中需要及時清洗管路和器具，避免漿料長期殘留在管路和容器中造成凝膠，引起晶片表面劃傷。

4、漿料循環(huán)使用時，需要在管口添加過濾裝置，以免發(fā)生凝膠而又反復(fù)應(yīng)用時造成晶片表面劃傷。

1、運輸與存放溫度為5-40℃，25℃為最佳存放溫度，存放時應(yīng)避光，以避免拋光液變質(zhì)。

2、保質(zhì)期一年，建議半年內(nèi)使用。

3、避免金屬、顆粒污染，避免強電解質(zhì)的接觸。

25kg/桶、250kg/桶、1000kg/桶。